wafer连接器介质耐电压试验问题的探讨

2020-08-28

wafer连接器介质耐电压试验问题的探讨

wafer连接器介质耐电压试验中,如果高强电压施加持续一分钟后,连接器并未出现击穿、飞弧或者放电现象,则说明该试验通过,说明该连接器抗电强度达到生产标准要求。不过在wafer连接器实际的介质耐电压试验中,也有人会采用不同的试验电压测试方法。例如将试验电压提高到原试验电压的120%,然后将wafer针座连接器电压施加时间缩短到5秒或者10秒。人们认为这种方式可以更加快速地完成介质耐电压试验,但一定要慎用。

wafer连接器介质耐电压试验问题的探讨

根据wafer连接器耐电压击穿机理,击穿主要是由漏电流引起的,也就是说,如果漏电流大于规定值就被认为属于击穿,通过增加试验电压来强加泄露,是否容易击穿与试验时间长短有关,而电压的高低与实践长短没有必然的联系。

无论采用哪种电压测试wafer连接器抗电强度,都属于高电压,在试验的过程中难免不出现损坏连接器绝缘部件或者降低其安全系数的问题,因此,在实验时一定要慎重。相同的wafer针座连接器不能经过多次反复的试验,否则绝缘部分会受损。如果一定要进行连续施加试验,应该适当降低施加电位,并且在实验后谨慎使用该wafer连接器。无论试验过程中使用交流电压还是直流电压,都应采取一定的措施确保试验电压不出现重复的瞬态现象或峰值。

介质耐电压试验考核的是wafer连接器的绝缘体是否存在缺陷,需要高电压、大功率进行检测试验。它跟绝缘电阻测试不同,绝缘电阻测试所采用的电源电压远低于介电耐压测试电源。而且介质耐电压测试对电压施加值的要求较高,对其是否泄露的检测也更为严格和专业。因此,人们不能将绝缘电阻测试代替wafer连接器介质耐电压试验。

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